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武漢凌久微電子有限公司3DIC芯片加工項目單一來源采購公示

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• 項目信息

采購人：武漢凌久微電子有限公司

項目名稱：3DIC芯片加工項目單一來源公示

擬采購的貨物或者服務(wù)的說明：武漢凌久微電子有限公司擬實現(xiàn)在先進(jìn)節(jié)點邏輯晶圓與DRAM晶圓的混合集成，實現(xiàn)大帶寬、低功耗的智能計算芯片的研究。需要基于國內(nèi)工藝進(jìn)行3DIC芯片加工，達(dá)到3D封裝集成的DRAM容量不小于1GB，聚合峰值訪存帶寬2TB/s的指標(biāo)要求，內(nèi)容包括：

1、混合鍵合光罩掩膜加工；

2、20片DRAM存儲晶圓的加工；

3、3DIC加工：20片logic+20片DRAM采用1+1形式做3DIC。

擬采購的貨物或者服務(wù)的預(yù)算金額：人民幣518萬元

采用單一來源采購方式的原因及說明：

1、西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司有過多次成功量產(chǎn)3D混合集成芯片項目經(jīng)歷，其技術(shù)有保障，開發(fā)風(fēng)險低，能滿足項目進(jìn)度要求。

2、西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司是唯一基于國產(chǎn)自研3D存儲芯片中存儲堆棧及3D異質(zhì)集成的量產(chǎn)供應(yīng)商，擁有先進(jìn)的設(shè)計技術(shù)與豐富的經(jīng)驗，處于行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。

3、西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司提供的三維堆疊嵌入式DRAM(SeDRAM)的技術(shù)可以滿足3D封裝集成的DRAM容量不小于1GB，聚合峰值訪存帶寬超過2TB/s的項目指標(biāo)要求。

故對該項目采用單一來源方式進(jìn)行采購。

• 擬定供應(yīng)商信息

名稱：西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司

地址：陜西省西安市高新六路38號A座4樓

• 公示期限

2024年11月14日至2024年11月19日

• 其他補(bǔ)充事宜：

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• 聯(lián)系方式

聯(lián)系人：武漢凌久微電子有限公司

地址：武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)東工業(yè)園百合路1號

聯(lián)系方式：027-87530204

3DIC芯片加工單一來源采購方式專業(yè)人員論證意見.pdf

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